大类具体方向核心内容简述半导体物理基础晶体结构与能带硅/Ge/III-V 材料的晶格、能带理论、有效质量载流子统计费米能级、玻尔兹曼统计、简并半导体载流子输运漂移、扩散、迁移率、散射机制PN结物理耗尽区、内建电场、I-V特性、电容效应二极管类器件普通PN结二极管正向导通、反向击穿（齐纳/雪崩）Schottky二极管金属-半导体接触、低正向压降、快开关
