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ocv derate crpr
OCV： on-chip-variation 是指芯片在制造工艺P、工作电压V、环境温度T 等参数的局部变化情况下导致的 cell &net delay 变化，比如假设从clk 到两个reg D端的走线长度相同，RC 参数相同，xtalk 情况也相同，两个reg的si…
服务器正常运行温度,HP DL380G10服务器的工作温度是多少？哪位大侠能告知？最好是官方的说明。...
10 to 35C (50 to 95F) at sea level with an altitude derating of 1.0C per every 305 m (1.8F per every 1000 ft) above sea level to a maximum of 3050 m (10,000 ft), no direct sustained sunlight.? Maximum rate of change is 20C/hr (36F/hr).? The upper limit a…
元件的降额使用------可靠度设计
没工夫翻译了，先偷个懒贴过来 Derating Introduction Derating can be defined as "the practice of limiting electrical, thermal and mechanical stress on parts, in a given design application, to levels that are below their specified ratings or th…
IC芯片版图实现第一步：数据导入（import）
数据导入（import） 工具简介后端版图设计流程简介数据导入步骤输入数据的检查timing 的QoR综合的check_timing的报告等效性检查（EC）面积信息UPF时序约束的读入（sdc） 基础环境的设定库（library&am…
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走进JEDEC,解读DDR(下)
上次的问题Vref偏移对DDR会造成什么影响，其中有比较重要的一个点就是会影响setuptime和holdtime，这两个参数和Vref又有什么关系呢，还有JEDEC中讲的derating又是什么东西呢？ setuptime和holdtime对我们判断时序裕量是一个比较关键的…
都知道台积电的工艺控制好，好在哪里?
芯片行业的人都知道，台积电在芯片制造方面的实力。不仅仅是它有更先进的工艺，还在于对于同样制程的工艺，它的工艺控制也是最好的。 苹果曾经同时采用三星和台积电对其芯片进行代工，台积电的芯片有明显优势，以至于苹果为…
静态时序分析-OCV和time derate
文章目录 基础概念分析模式如何选取path?建立时间的OCV分析保持时间检查的OCV 基础概念
OCV(on-chip variation) 是指在同一个芯片上，由于制造工艺和环境等原因导致芯片上各部分特征不能完全一样，从而造成偏差，对时序分析造成影响。这些偏差…
OCV/AOCV/SOCV的介绍和应用
什么是ocv？ 芯片制造过程中，MOS间差异必然存在。library中的cell delay是在某个固定的PVT（operating condition）下仿真得出的。而实际上在芯片内部由于工艺偏差、电压降、温度变化，cell的delay并不是一个固定值，而是一个随机值，遵循高斯分布或门特卡洛分布，在STA中用OC…
java时序图工具_每日学习：静态时序分析入门面面观
关注并标星大同学吧 每天1次，打卡学习 积累1个新知识，增1分职场底气 作者称谓：Jack xu 个人介绍：不断学习的数字后端工程师 微信公众号：志芯 半导体知识分享第41期 技能升级，从这里开始 本文详细讲解了时序…
《静态时序分析实用方法》第十章翻译
第 10 章 稳健验证（Robust Verification）
介绍一些高级关键的主题，比如说on-chip variation, time borrowing, hierarchical methodology, power management 和statistical timing analysis。 本章描述了特殊的 STA 分析，例如时间…
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STA series --- 3.Standard cell library(PART-I)
序：
本篇内容，基于阅读J. Bhasker • Rakesh Chadha著作《Static Timing Analysis for Nanometer Designs》后进行的总结以及自己的观点和感想，如有不正确的地方，还请指点。读者有微电子基础将更好理解内容。（图片内容…
STA系列 - 芯片的鲁棒性OCV之set_time_derate
文章目录 背景例子如何实现什么是early？什么是late？建立时间的OCV分析OCV for hold check参考文章 背景
芯片制造过程中，MOS间差异必然存在。library中的cell delay是在某个固定的PVT（operating condition）下仿真得出…
静态时序分析（STA）的不同分析模式
目录 时序路径分析及相关概念最快和最慢路径分析模式最好-最坏分析模式（BC-WC）OCV模式 转载者注 学习数字设计（数字IC设计、FPGA设计）都必须学习静态时序分析（Static Timing Analysis ，STA）。然…
汽车电子产品硬件电路设计——电源入口处TVS选择
提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档 文章目录 一、电源入口处为什么要加TVS1.防ESD / 通过ESD抗扰测试2.防瞬态传导 / 通过EMC电源瞬态传导抗扰度测试3.防雷击 / 通过浪涌、雷击抗扰测试 二、TVS设计与选型1.Vbr…
《静态时序分析实用方法》翻译
第1章 引言 解释了什么是静态时序分析以及它如何用于时序验证。还描述了功率和可靠性方面的考虑。 概述了纳米设计的静态时序分析程序。本章解决了诸如什么是静态时序分析、噪声和串扰的影响是什么、如何使用这些分析以及这些分析适用于整个设计过程的哪个阶段等问题。
1.1纳米…
primetime中的POCV变量设置及报告详解
前言
同一块芯片上的晶体管会有变快或者变慢的现象，因此产生了OCV的概念。OCV在path上设置统一的derate，悲观度较高。 为了提高准确性，可以用下面的方法: AOCV(Advanced On-Chip Variation) POCV(Parametric On-Chip Variation)
AOCV&#…
【DDR3_Electrical Characteristics and AC Timing】_Data Setup,Hold and Slew Rate Derating
Data Setup,Hold and Slew Rate Derating tDS (total setup time) = tDS(base) + ∆tDS tDH (total hold time) = tDH(base) + ∆tDH
【DDR3_Electrical Characteristics and AC Timing】_Addr/Cmd Setup,Hold and Derating
Addr/Cmd Setup,Hold and Derating tIS (total setup time) tIS(base) ∆tIS tIH (total hold time) tIH(base) ∆tIH