SAMCO RIE-300NR 反应离子刻蚀系统Reactive Ion Etching System, RIE是适配大尺寸晶圆加工的半导体干法刻蚀设备核心用于硅Si、二氧化硅SiO₂、氮化硅SiN、多晶硅Poly-Si等材料的等离子体刻蚀Plasma Etching、光刻胶灰化Photoresist Ashing与表面改性工艺设备参数源自SAMCO日本官网公开技术资料。该设备最大兼容加工晶圆尺寸可达φ350mm支持单片φ300mm晶圆、8片φ4英寸、12片φ3英寸多规格批量加工。搭载优化喷淋头Shower Head保障工艺气体均匀性采用近距离气体输送结构缩短气体滞留时间配合对称式真空排气设计与分子泵TMP实现高效稳定的气体流场。设备配备全自动一键式运行模式支持手动权限切换自带压力自动调控模块可脱离气体流量干扰精准稳定工艺腔体压力Process Pressure。二手设备运维需遵循专属保养规范定期清洁腔体喷淋头与真空管路规避工艺残留杂质影响刻蚀均匀性常态化检测干泵Dry Pump、分子泵运行工况保障真空度稳定性定期校准压力控制系统与气体输送模块维持长期工艺重复性。该设备结构模块化设计大幅降低二手设备检修与维护难度。海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。免责声明Disclaimer一、内容溯源与适用范围Source Scope of Application本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件仅用于技术研究、方案对比及行业参考不作任何商业用途。二、内容效力与权责界定Validity Liability Definition本文观点与结论为通用技术参考非设备原厂官方定论不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据未经原厂实测核验不得用于项目验收、举证追责。三、风险承担与合规说明Risk Assumption Compliance Statement使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任由使用者自行承担本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议将及时核实整改。